Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist ein spannungsgesteuertes elektronisches Bauelement, das als eine Art Ventil den Stromfluss zwischen den Anschlüssen Drain und Source über eine isolierte Gate-Elektrode regelt. Die ersten Patente für dieses Funktionsprinzip wurden bereits 1926 von Julius Edgar Lilienfeld und 1934 von Oskar Heil angemeldet, doch die ersten funktionsfähigen MOSFETs entstanden erst 1960 durch Mohamed M. Atalla und Dawon Kahng in den Bell Labs. Seit den 1970er Jahren ist der Silizium-MOSFET dank fertigungstechnischer Vorteile zum meistverwendeten Transistortyp in analogen und digitalen integrierten Schaltungen geworden, wobei die Packungsdichte enorm gesteigert wurde – so enthielt ein einzelner Prozessor im Jahr 2008 bereits bis zu 1,9 Milliarden Transistoren. Durch neue Bauformen wie FinFETs konnte die Skalierung weiter fortgesetzt werden, sodass in der 7-nm-Technik über 54 Milliarden Transistoren in einem Prozessor (z. B. Nvidia GA100) Platz finden. Neben Silizium gewinnen heute auch Materialien mit größerer Bandlücke wie Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) an Bedeutung, da sie für spezielle Hochleistungsanwendungen bessere Eigenschaften bieten, auch wenn ihre Fertigungskosten derzeit noch deutlich höher liegen.