반도체 메모리는 컴퓨터의 주기억장치 등에 쓰이는 디지털 저장 소자로, 실리콘 집적회로 위에 MOS 트랜지스터를 이용해 데이터를 저장하며, 하드디스크와 달리 임의 접근이 가능해 어떤 위치든 나노초 단위로 빠르게 읽고 쓸 수 있습니다. 크게 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리(DRAM, SRAM)와 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리(플래시 메모리 등)로 나뉘며, DRAM은 1개의 트랜지스터와 캐패시터를 사용해 저렴하지만 주기적인 재충전이 필요하고, SRAM은 플립플롭 회로로 빠르지만 비쌉니다. 이러한 특성 덕분에 DRAM은 컴퓨터의 주 메모리로, SRAM은 캐시 메모리로 사용되는 등 용도에 맞게 선택됩니다. 시장 규모는 2017년 기준 연간 약 1240억 달러로 전체 반도체 산업의 30%를 차지할 정도로 핵심 부품입니다. 기술 발전과 함께 속도가 크게 향상되어, DDR SDRAM은 클록 주기당 데이터 전송량을 2배(DDR), 4배(DDR2), 8배(DDR3), 16배(DDR4)로 늘려왔으며, 최근에는 칩을 3D로 쌓아 대역폭을 극대화한 HBM(고대역 메모리)도 등장했습니다. 반도체 메모리는 현재 작업 중인 프로그램과 데이터를 임시로 저장하는 용도뿐만 아니라, SSD와 같은 저장 장치에도 활용되어 디지털 기기의 성능을 좌우하는 핵심 기술로 자리잡고 있습니다.